2026-06-30_南韓_啟動超級計畫

南韓超級計畫

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經濟日報
南韓大投資目標 DRAM 產能五年翻倍全球記憶體業壓力測試 | 產業熱點 | 產業 | 經濟日報
南韓政府昨 (29) 日宣布由三星和 SK 海力士領軍的「三大超級計畫」，以史上最大記憶體投資案最受矚目，兩大巨頭將合計豪擲 800 兆韓元 (約 5,182 億美元、新台幣 16.5 兆元) 擴產，目標是未來五年 DRAM 產能翻倍。

史上最大投資規模：南韓政府於 06/29 宣布由三星、SK 海力士領軍的三大超級計畫，兩大巨頭將於西南地區投資 800 兆韓元興建 4 座晶圓廠，規模超越南韓年度政府預算。
記憶體五年翻倍：核心目標為未來 5 年內將 DRAM 產能翻倍，並重點擴充 HBM、DDR5、高容量 NAND 等高階產品。
企業長線資本支出：兩大領導廠商規劃鉅額中長期資本支出，深化在地製造與技術優勢。
- 三星合計規劃：在南韓總投資額達 2,655 兆韓元，涵蓋龍仁、平澤等地的半導體聚落。
- 海力士長線布局：中長期半導體投資高達 1,100 兆韓元，並另投入 1,000 兆韓元建設 AI 資料中心，目標 2035 年前達成 18.4GW 容量。
區域分散製造模式：仿效台灣產業聚落模式，推動非首都圈半導體基礎建設。
- 西南製造基地：以光州為重鎮，將湖南地區打造成南韓第二大半導體生產基地。
- 封裝與材料分工：規劃天安、溫陽為先進封裝中心，並於東南圈、大慶圈建設半導體材料、零組件、裝備生產線。
實體 AI 轉型布局：三星、SK 海力士合計投入 925 兆韓元發展實體 AI 與設備，每年推廣 > 1,000 部產業機器人，並於全羅北道建立代工與零組件基地。
政府前瞻技術研發：南韓政府未來 15 年將投入 30 兆韓元，研發下一代記憶體、裝置端 AI 晶片、國防半導體等前瞻技術。